电流、功率和温升

电感器通常不按功率进行额定，但是可以使用电流和电阻的数据表规格来估计空芯或陶瓷芯片式电感器的功率处理能力的近似值。示例：1 μH，片式电感器的 Irms 额定值为 480 mA，最大 DCR 额定值为 1.2 欧姆。 Irms 额定值相当于环境温度升高 15°C。允许的最高环境温度为 125°C，因此 15°C 温升允许的最大部件温度为 ~(125 + 15) = 140°C。要估算功率能力，请计算 Irms2 × DCR。如果我们假设标称 DCR 是指定的最大 DCR 的 80%，则计算结果为：(0.48 A)2 × (0.8 × 1.2 Ohms) = 0.221 W = 221 mW。因此，大约 221 mW 的功率会导致该电感器的温度达到上升约 15°C。在 RF 频率下，ESR远高于DCR。因此，导致相同温升的电流量显着降低。例如，如果射频信号为 100 MHz，则电感器的 ESR 为 8.14 欧姆（几乎是直流电阻的七倍），因此对应于相同功率（以及温升）的 Irms 交流电流仅为约 161 mA，如下所示与直流时的 480 mA 额定值相反。如果电感器中存在电流相关损耗或较高频率下的其他损耗机制（不属于低电流 ESR 测量的一部分），则该估计可能会出现错误。14 欧姆（几乎是直流电阻的七倍），因此对应于相同功率（以及温升）的 Irms 交流电流仅为约 161 mA，而直流时的额定电流为 480 mA。如果电感器中存在电流相关损耗或较高频率下的其他损耗机制（不属于低电流 ESR 测量的一部分），则该估计可能会出现错误。14 欧姆（几乎是直流电阻的七倍），因此对应于相同功率（以及温升）的 Irms 交流电流仅为约 161 mA，而直流时的额定电流为 480 mA。如果电感器中存在电流相关损耗或较高频率下的其他损耗机制（不属于低电流 ESR 测量的一部分），则该估计可能会出现错误。

电感器消耗的功率

如下图所示，偏置 T 形接头中的电感器的用途是为放大器提供直流偏置，同时阻止高频射频信号进入直流源。理想情况下，施加到偏置线上的任何射频信号都会被串联电感器滤除。对于本讨论，我们假设一个无损耗（例如空芯或陶瓷芯）电感器，仅存在（交流和直流）铜损耗 - 无磁芯损耗。

电感器消耗的总直流功率为：Pdc = Idc2 × DCR 电感器消耗的总交流功率为：Pac = Irms2 × ESR 其中：Idc 是通过电感器的直流电流。Irms 是交流（射频信号）的幅度通过电感器的电流（如果电感器接近理想状态，则可能较低）。DCR 是电感器的直流电阻。ESR 是电感器在 RF 信号频率（假设仅单个 RF 频率）下的有效串联电阻。总（DC电感器消耗的交流功率为： Ptotal = Pdc + PacorPtotal = Idc2 × DCR + Irms2 × ESRAs 如图所示，在 RF 线路上有单频交流信号的最简单情况下，为了确定电感器消耗的交流功率必须知道电感器、RF 频率下电感器的 ESR 以及通过电感器的 RF 电流的 Irms 值。对于要过滤的更复杂的多频噪声信号，电感器消耗的总交流功率是所有 Irms2 × ESR 贡献的总和，其中 ESR 根据频率的不同而变化。

宽带射频扼流圈

宽带射频扼流圈的宽带性能是采用高磁导率磁芯材料（如铁粉或铁氧体）的结果。当射频信号穿过电感器时，与频率相关和与电流相关的磁芯损耗会给电感器产生的总热量带来额外的热量。简单的 ESR 测量（通常在非常低的电流下进行）不会捕获这些损耗。因此上述估计方法不适用，并且会错误地预测比实际结果更低的温升。电感器会比预期更热。对于任何具有高磁导率（铁氧体、铁粉、复合材料）磁芯的电感器来说也是如此。对于高渗透率核心产品来说，我们建议在所有频率和电流条件下对电感器进行温升测量，这可能会导致您的应用确定最坏情况的温升。